MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
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Taiwan Semiconductor Corporation 製 TSM2312CX RFG の主要スペックです。
| メーカー型番 | TSM2312CX RFG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 260 個 |
| 在庫目安 | 2,600 個 |
| 納期目安 | 20 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 |
| 詳細説明 | N-Channel 20 V 4.9A (Tc) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| メーカー型番 | TSM2312CX RFG |
| 基本製品番号 | TSM2312 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 10 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 3 (168 Hours) |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | TSM2312CX RFGDKR', '1801-TSM2312CXRFGDKR', 'TSM2312CXRFGDKR-ND', 'TSM2312CX RFGTR-ND', 'TSM2312CX RFGCT-ND', 'TSM2312CX RFGTR', 'TSM2312CXRFGDKR', 'TSM2312CXRFGTR-ND', 'TSM2312CXRFGTR', '1801-TSM2312CXRFGTR', 'TSM2312CX RFGDKR-ND', 'TSM2312CXRFG-ND', 'TSM2312CXRFGCT-ND', 'TSM2312CX RFGCT', '1801-TSM2312CXRFGCT', 'TSM2312CXRFGCT |
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