GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
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Transphorm 製 TP90H050WS の主要スペックです。
| メーカー型番 | TP90H050WS |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 30 個 |
| 在庫目安 | 300 個 |
| 納期目安 | 15 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | GANFET N-CH 900V 34A TO247-3 |
| 詳細説明 | N-Channel 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| メーカー型番 | TP90H050WS |
| 基本製品番号 | TP90H050 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 600 V |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 22A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 技術 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 700µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 別名 | 1707-TP90H050WS |
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