MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
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Vishay Siliconix 製 TP0610K-T1-GE3 の主要スペックです。
| メーカー型番 | TP0610K-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 170 個 |
| 在庫目安 | 1,700 個 |
| 納期目安 | 53 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 |
| 詳細説明 | P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| メーカー型番 | TP0610K-T1-GE3 |
| 基本製品番号 | TP0610 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 185mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23 pF @ 25 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | TP0610K-T1-GE3CT', 'TP0610KT1GE3', 'TP0610K-T1-GE3-ND', 'TP0610K-T1-GE3TR', 'TP0610K-T1-GE3DKR |
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