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STL18N65M5
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STMicroelectronics


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製品情報

MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT

基本仕様

メーカー型番STL18N65M5
メーカーSTMicroelectronics
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
シリーズMDmesh™ V
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)360 個
在庫目安3,600 個
納期目安52 Weeks
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1240 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)57W (Tc)
REACHステータスREACH Unaffected
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 7.5A, 10V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージPowerFlat™ (5x6)
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
パッケージ/ケース8-PowerVDFN
別名STL18N65M5-ND', '497-13967-6', '497-13967-1', '497-13967-2
動作温度150°C (TJ)
基本製品番号STL18
実装タイプSurface Mount
技術MOSFET (Metal Oxide)
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)

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