MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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Vishay Siliconix 製 SQ4920EY-T1_GE3 の主要スペックです。
| メーカー型番 | SQ4920EY-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 10 個 |
| 在庫目安 | 100 個 |
| 納期目安 | 53 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| 詳細説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SOIC |
| メーカー型番 | SQ4920EY-T1_GE3 |
| 基本製品番号 | SQ4920 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465pF @ 15V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Power - Max | 4.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | SQ4920EY-T1-GE3', 'SQ4920EY-T1_GE3DKR', 'SQ4920EY-T1_GE3-ND', 'SQ4920EY-T1_GE3TR', 'SQ4920EY-T1_GE3CT', 'SQ4920EY-T1-GE3-ND |
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