Vishay Siliconix
RoHS Compliant
SISF00DN-T1-GE3
メーカー (Manufacturer)
Vishay Siliconix
SKU
SISF00DN-T1-GE3
シリーズ
TrenchFET® Gen IV
製品ステータス
Active
製品概要
SISF00DN-T1-GE3 は Vishay Siliconix 社が製造する電子部品です。カテゴリは「Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays」に属します。パッケージ形式は Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® です。Inotoday では SISF00DN-T1-GE3 の在庫確認・価格照会を24時間以内に対応しております。グローバル調達ネットワークを活用し、正規品を安心価格でお届けします。
基本情報 (Basic Info)
- 説明
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
- 詳細説明
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
- メーカー型番
- SISF00DN-T1-GE3
技術仕様 (Specifications)
- 基本製品番号
- SISF00
- カテゴリ
- Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 60A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- FET Feature
- Standard
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 53nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2700pF @ 15V
- 実装タイプ
- Surface Mount
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- パッケージ
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
- パッケージ/ケース
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Power - Max
- 69.4W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5mOhm @ 10A, 10V
- サプライヤデバイスパッケージ
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.1V @ 250µA
環境・輸出情報 (Environmental)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- 水分感度レベル (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHSステータス
- ROHS3 Compliant
その他 (Others)
- 別名
- SISF00DN-T1-GE3CT', 'SISF00DN-T1-GE3DKR', 'SISF00DN-T1-GE3TR
よくある質問 (FAQ)
Q: SISF00DN-T1-GE3 の実装方式は？（SMD？DIP？など）
A: SISF00DN-T1-GE3 は Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® 方式にて実装される仕様になっています。
Q: SISF00DN-T1-GE3 のシリーズ名は？
A: この製品は TrenchFET® Gen IV シリーズに属しています。
Q: SISF00DN-T1-GE3 はどのようなカテゴリ（Category）に分類されますか？
A: SISF00DN-T1-GE3 は Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays に分類されます。
※ 万一在庫がなくても諦めないでください
→ 他社在庫・代替品を24時間以内に調査・ご提案
→ 全品品質検査済み・メーカー正規品保証
※ 緊急対応のご依頼は → お気軽にお問い合わせください