メーカー:Vishay Siliconix | 型番:SIRA06DDP-T1-UE3 | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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SIRA06DDP-T1-UE3
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Vishay Siliconix


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製品情報

N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET

基本仕様

メーカー型番SIRA06DDP-T1-UE3
メーカーVishay Siliconix
カテゴリディスクリート半導体製品
シリーズTrenchFET® Gen IV
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)430 個
在庫目安56,060 個
納期目安26 weeks
ライフサイクルアクティブ
ExportControlClassNumberEAR99
FETタイプNチャンネル
HtsusCode8541.29.0055
Id、Vgs印加時のRds On(最大)2.2ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
MoistureSensitivityLevel1(無制限)
ReachStatusREACHの影響なし
RohsStatusROHS3対応
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)2330 pF @ 15 V
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)46 nC @ 10 V
Vgs(最大)+20V、-16V
サプライヤデバイスパッケージPowerPAK® SO-8
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)30 V
パッケージ/ケースPowerPAK® SO-8
別名742-SIRA06DDP-T1-UE3CT, 742-SIRA06DDP-T1-UE3TR, 742-SIRA06DDP-T1-UE3DKR
動作温度-55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ面実装
技術MOSFET(金属酸化物)
電力散逸(最大)4.6W(Ta)、59W(Tc)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)36A(Ta)、125A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V

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