MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix 製 SI7942DP-T1-E3 の主要スペックです。
| メーカー型番 | SI7942DP-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 70 個 |
| 在庫目安 | 700 個 |
| 納期目安 | 53 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 |
| 詳細説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| メーカー型番 | SI7942DP-T1-E3 |
| 基本製品番号 | SI7942 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.9A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | SI7942DP-T1-E3DKR', 'SI7942DP-T1-E3CT', 'SI7942DP-T1-E3TR', 'SI7942DPT1E3 |
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