MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix 製 SI7615ADN-T1-GE3 の主要スペックです。
| メーカー型番 | SI7615ADN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 460 個 |
| 在庫目安 | 4,600 個 |
| 納期目安 | 53 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 |
| 詳細説明 | P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| メーカー型番 | SI7615ADN-T1-GE3 |
| 基本製品番号 | SI7615 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | SI7615ADN-T1-GE3TR', 'SI7615ADN-T1-GE3DKR', 'SI7615ADN-T1-GE3CT', 'SI7615ADNT1GE3 |
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