MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
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Vishay Siliconix 製 SI1025X-T1-GE3 の主要スペックです。
| メーカー型番 | SI1025X-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 450 個 |
| 在庫目安 | 4,500 個 |
| 納期目安 | 52 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
| 詳細説明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F) |
| メーカー型番 | SI1025X-T1-GE3 |
| 基本製品番号 | SI1025 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | SI1025XT1GE3', 'SI1025X-T1-GE3DKR', 'SI1025X-T1-GE3TR', 'SI1025X-T1-GE3CT |
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