SICFET N-CH 1200V 40A TO247
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Rohm Semiconductor 製 SCT2080KEC の主要スペックです。
| メーカー型番 | SCT2080KEC |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 360 個 |
| 在庫目安 | 3,600 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | - |
| 説明 | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 |
| 詳細説明 | N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| メーカー型番 | SCT2080KEC |
| 基本製品番号 | SCT2080 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Affected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | SCT2080KECU |
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