TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
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Toshiba Semiconductor and Storage 製 RN2424(TE85L,F) の主要スペックです。
| メーカー型番 | RN2424(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 350 個 |
| 在庫目安 | 3,500 個 |
| 納期目安 | 10 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI |
| 詳細説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini |
| メーカー型番 | RN2424(TE85L,F) |
| 基本製品番号 | RN2424 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| サプライヤデバイスパッケージ | S-Mini |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 別名 | 264-RN2424(TE85LF)DKR', '264-RN2424(TE85LF)CT', '264-RN2424(TE85LF)TR |
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