TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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Toshiba Semiconductor and Storage 製 RN1102T5LFT の主要スペックです。
| メーカー型番 | RN1102T5LFT |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 300 個 |
| 在庫目安 | 3,000 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産終了 |
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
| 詳細説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM |
| メーカー型番 | RN1102T5LFT |
| 基本製品番号 | TLP137 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| サプライヤデバイスパッケージ | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 別名 | RN1102T5LFTTR', 'RN1102(T5L,F,T)', 'RN1102T5LFTCT', 'RN1102T5LFT-ND', 'RN1102T5LFTDKR |
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