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RN1101MFV,L3F(CT 製品画像 📄 お見積り・在庫確認
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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製品仕様

Toshiba Semiconductor and Storage 製 RN1101MFV,L3F(CT の主要スペックです。

メーカー型番RN1101MFV,L3F(CT
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
カテゴリDiscrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
最小発注数量1 個
標準梱包数（SPQ）380 個
在庫目安3,800 個
納期目安10 Weeks
ライフサイクル生産継続中
説明TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
詳細説明Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
メーカー型番RN1101MFV,L3F(CT
基本製品番号RN1101
カテゴリDiscrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
実装タイプSurface Mount
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
パッケージ/ケースSOT-723
Power - Max150 mW
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)4.7 kOhms
サプライヤデバイスパッケージVESM
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)
別名RN1101MFV,L3F(CB', '264-RN1101MFVL3F(DKR', '264-RN1101MFVL3F(TR', '264-RN1101MFVL3F(CT

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よくあるご質問

RN1101MFV,L3F(CT のご購入に関する、お客様からのよくあるご質問にお答えします。

RN1101MFV,L3F(CT の実装方式は？（SMD？DIP？など）
RN1101MFV,L3F(CT は Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® 方式にて実装される仕様になっています。
RN1101MFV,L3F(CT はどのようなカテゴリ（Category）に分類されますか？
RN1101MFV,L3F(CT は Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased に分類されます。
Toshiba Semiconductor and Storage 社製品の品質基準は？
Toshiba Semiconductor and Storage 社製品は国際的な規格に準拠した品質になっております。
RN1101MFV,L3F(CT のECCN番号は？
ECCNコードは EAR99 です。
RN1101MFV,L3F(CT のHTSUS番号は？
HTSUSコードは 8541.21.0095 です。
RN1101MFV,L3F(CT の最小発注数量（MOQ）はありますか？
MOQは 1 個からご注文いただけます。小ロット試作から量産ロットまで柔軟に対応いたします。
納期はどれくらいですか？
在庫品は 10 Weeks が目安です。詳細はお見積りにてご案内いたします。

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