MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
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Renesas Electronics Corporation 製 N0602N-S19-AY の主要スペックです。
| メーカー型番 | N0602N-S19-AY |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 250 個 |
| 在庫目安 | 17,890 個 |
| 納期目安 | 12 weeks |
| ライフサイクル | アクティブ |
| 基本製品番号 | N0602N-S19 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 4.6ミリオーム @ 50A、10V |
| Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 7730 pF @ 25 V |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 133 nC @ 10 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 60 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3絶縁タブ |
| 動作温度 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | スルーホール |
| 技術 | MOSFET(金属酸化物) |
| 電力散逸(最大) | 1.5W(Ta)、156W(Tc) |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 100A(Tc) |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ExportControlClassNumber | EAR99 |
| HtsusCode | 8541.29.0055 |
| MoistureSensitivityLevel | 1(無制限) |
| ReachStatus | REACHの影響なし |
| RohsStatus | ROHS3対応 |
| 別名 | -1161-N0602N-S19-AY |
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