RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
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Toshiba Semiconductor and Storage 製 MT3S113TU,LF の主要スペックです。
| メーカー型番 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 350 個 |
| 在庫目安 | 3,500 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
| 詳細説明 | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM |
| メーカー型番 | MT3S113TU,LF |
| 基本製品番号 | MT3S113 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 11.2GHz |
| Gain | 12.5dB |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 3-SMD, Flat Lead |
| Power - Max | 900mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | RoHS Compliant |
| 別名 | MT3S113TULFCT', 'MT3S113TULF(B', 'MT3S113TU,LF(B', 'MT3S113TULF', 'MT3S113TULFDKR', 'MT3S113TULFTR |
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