RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
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Toshiba Semiconductor and Storage 製 MT3S111TU,LF の主要スペックです。
| メーカー型番 | MT3S111TU,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 80 個 |
| 在庫目安 | 800 個 |
| 納期目安 | 12 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| 詳細説明 | RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM |
| メーカー型番 | MT3S111TU,LF |
| 基本製品番号 | MT3S111 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 12.5dB |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 3-SMD, Flat Lead |
| Power - Max | 800mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | RoHS Compliant |
| 別名 | MT3S111TULFDKR', 'MT3S111TU,LF(T', 'MT3S111TU,LF(B', 'MT3S111TULFCT', 'MT3S111TULFTR |
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