SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
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Microchip Technology 製 MSC025SMA120B の主要スペックです。
| メーカー型番 | MSC025SMA120B |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 1 個 |
| 在庫目安 | 10 個 |
| 納期目安 | 12 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 |
| 詳細説明 | N-Channel 1200 V 103A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| メーカー型番 | MSC025SMA120B |
| 基本製品番号 | MSC025 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | RoHS Compliant |
| 別名 | 691-MSC025SMA120B |
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