MOSFET N-CH 200V 80A TO268
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IXYS 製 IXTT80N20L の主要スペックです。
| メーカー型番 | IXTT80N20L |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | Linear |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 30 個 |
| 在庫目安 | 300 個 |
| 納期目安 | 41 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 80A TO268 |
| 詳細説明 | N-Channel 200 V 80A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268AA |
| メーカー型番 | IXTT80N20L |
| 基本製品番号 | IXTT80 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6160 pF @ 25 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 40A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| カリフォルニア州法プロポジション65 | Warning Information |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
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