MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
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Infineon Technologies 製 IRLML2030TRPBF の主要スペックです。
| メーカー型番 | IRLML2030TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | HEXFET® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 210 個 |
| 在庫目安 | 2,100 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 |
| 詳細説明 | N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| メーカー型番 | IRLML2030TRPBF |
| 基本製品番号 | IRLML2030 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 15 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.7A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | IRLML2030TRPBFCT', '2156-IRLML2030TRPBF', 'IRLML2030TRPBFDKR', 'SP001578662', 'IRLML2030TRPBFTR', 'IFEINFIRLML2030TRPBF |
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