メーカー:Infineon Technologies | 型番:IRL6342TRPBF | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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IRL6342TRPBF
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Infineon Technologies


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製品情報

MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO

基本仕様

メーカー型番IRL6342TRPBF
メーカーInfineon Technologies
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
シリーズHEXFET®
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)330 個
在庫目安3,300 個
納期目安お問合せ
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1025 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
REACHステータスREACH Unaffected
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA
サプライヤデバイスパッケージ8-SO
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
別名IRL6342TRPBF-ND', 'IRL6342TRPBFTR', 'IRL6342TRPBFDKR', 'IRL6342TRPBFCT', 'SP001572774
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
基本製品番号IRL6342
実装タイプSurface Mount
技術MOSFET (Metal Oxide)
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)

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