メーカー:Vishay Siliconix | 型番:IRFD9020PBF | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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IRFD9020PBF
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Vishay Siliconix


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製品情報

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

基本仕様

メーカー型番IRFD9020PBF
メーカーVishay Siliconix
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)60 個
在庫目安600 個
納期目安53 Weeks
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 960mA, 10V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1µA
サプライヤデバイスパッケージ4-HVMDIP
パッケージTube
パッケージ/ケース4-DIP (0.300", 7.62mm)
別名*IRFD9020PBF
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
基本製品番号IRFD9020
実装タイプThrough Hole
技術MOSFET (Metal Oxide)
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)

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