メーカー:Infineon Technologies | 型番:IRF6616TRPBF | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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IRF6616TRPBF
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Infineon Technologies


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製品情報

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

基本仕様

メーカー型番IRF6616TRPBF
メーカーInfineon Technologies
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
シリーズHEXFET®
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)30 個
在庫目安300 個
納期目安お問合せ
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 106A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 4.5 V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3765 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
REACHステータスREACH Unaffected
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 19A, 10V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージDIRECTFET™ MX
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
パッケージ/ケースDirectFET™ Isometric MX
別名SP001525524', 'IRF6616TRPBF-ND', 'IRF6616TRPBFCT', 'IRF6616TRPBFDKR', 'IRF6616TRPBFTR
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
基本製品番号IRF6616
実装タイプSurface Mount
技術MOSFET (Metal Oxide)
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)

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