メーカー:Infineon Technologies | 型番:IPA60R360P7SXKSA1 | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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IPA60R360P7SXKSA1
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Infineon Technologies


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製品情報

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

基本仕様

メーカー型番IPA60R360P7SXKSA1
メーカーInfineon Technologies
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
シリーズCoolMOS™ P7
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)50 個
在庫目安500 個
納期目安39 Weeks
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max)22W (Tc)
REACHステータスREACH Unaffected
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2.7A, 10V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 140µA
サプライヤデバイスパッケージPG-TO220-FP
パッケージTube
パッケージ/ケースTO-220-3 Full Pack
別名SP001606068', '2156-IPA60R360P7SXKSA1', 'ROCINFIPA60R360P7SXKSA1
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
基本製品番号IPA60R360
実装タイプThrough Hole
技術MOSFET (Metal Oxide)
水分感度レベル (MSL)Not Applicable

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