RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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Toshiba Semiconductor and Storage 製 HN3C10FUTE85LF の主要スペックです。
| メーカー型番 | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 450 個 |
| 在庫目安 | 4,500 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
| 詳細説明 | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| メーカー型番 | HN3C10FUTE85LF |
| 基本製品番号 | HN3C10 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 200mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | US6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | RoHS Compliant |
| 別名 | HN3C10FUTE85LFTR', 'HN3C10FUTE85LFCT', 'HN3C10FUTE85LFDKR', 'HN3C10FU(TE85L,F) |
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