SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
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GeneSiC Semiconductor 製 G3R450MT17J の主要スペックです。
| メーカー型番 | G3R450MT17J |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | G3R™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 50 個 |
| 在庫目安 | 500 個 |
| 納期目安 | 20 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7 |
| 詳細説明 | N-Channel 1700 V 9A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
| メーカー型番 | G3R450MT17J |
| 基本製品番号 | G3R450 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 1000 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Power Dissipation (Max) | 91W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4A, 15V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 2mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | RoHS Compliant |
| 別名 | 1242-G3R450MT17J |
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