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EPC2202
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製品情報

GANFET N-CH 80V 18A DIE

基本仕様

メーカー型番EPC2202
メーカーEPC
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
シリーズAutomotive, AEC-Q101, eGaN®
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)150 個
在庫目安1,500 個
納期目安10 Weeks
ライフサイクル生産継続中
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 5 V
HTSUS8541.29.0040
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds415 pF @ 50 V
REACHステータスREACH Unaffected
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 11A, 5V
RoHSステータスROHS3 Compliant
Vgs (Max)+5.75V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 3mA
サプライヤデバイスパッケージDie Outline (6-Solder Bar)
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
パッケージ/ケースDie
別名917-1199-6', '917-1199-2', '917-1199-1
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプSurface Mount
技術GaNFET (Gallium Nitride)
水分感度レベル (MSL)1 (Unlimited)

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