GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
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EPC 製 EPC2052 の主要スペックです。
| メーカー型番 | EPC2052 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 130 個 |
| 在庫目安 | 1,300 個 |
| 納期目安 | 12 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | GANFET N-CH 100V 8.2A DIE |
| 詳細説明 | N-Channel 100 V 8.2A (Ta) - Surface Mount Die |
| メーカー型番 | EPC2052 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 50 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | Die |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 11A, 5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | 917-1202-1', '917-1202-2', '917-1202-6 |
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