TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Rohm Semiconductor 製 DTC643TUT106 の主要スペックです。
| メーカー型番 | DTC643TUT106 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 270 個 |
| 在庫目安 | 2,700 個 |
| 納期目安 | 20 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| 詳細説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 600 mA 150 MHz 200 mW Surface Mount UMT3 |
| メーカー型番 | DTC643TUT106 |
| 基本製品番号 | DTC643 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | DTC643TUT106TR', 'DTC643TUT106CT', 'DTC643TUT106DKR', 'DTC643TUT106-ND |
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