TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
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Rohm Semiconductor 製 DTC114EUBTL の主要スペックです。
| メーカー型番 | DTC114EUBTL |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 250 個 |
| 在庫目安 | 2,500 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 新規設計非推奨 |
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F |
| 詳細説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3F |
| メーカー型番 | DTC114EUBTL |
| 基本製品番号 | DTC114 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | SC-85 |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT3F |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | DTC114EUBTLCT', 'DTC114EUBTLDKR', 'DTC114EUBTL-ND', 'DTC114EUBTLTR |
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