MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
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Diodes Incorporated 製 DMN10H120SFG-13 の主要スペックです。
| メーカー型番 | DMN10H120SFG-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 460 個 |
| 在庫目安 | 4,600 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 |
| 詳細説明 | N-Channel 100 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| メーカー型番 | DMN10H120SFG-13 |
| 基本製品番号 | DMN10 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 549 pF @ 50 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.3A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | DMN10H120SFG-13DITR', 'DMN10H120SFG-13DICT', 'DMN10H120SFG-13DIDKR |
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