MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
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Texas Instruments 製 CSD25310Q2T の主要スペックです。
| メーカー型番 | CSD25310Q2T |
|---|---|
| メーカー | Texas Instruments |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | NexFET™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 250 個 |
| 在庫目安 | 2,500 個 |
| 納期目安 | 6 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON |
| 詳細説明 | P-Channel 20 V 20A (Ta) 2.9W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2) |
| メーカー型番 | CSD25310Q2T |
| 基本製品番号 | CSD25310Q2 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655 pF @ 10 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.9mOhm @ 5A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | 296-50290-2', '296-50290-1', '296-50290-6 |
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