MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
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Texas Instruments 製 CSD13201W10 の主要スペックです。
| メーカー型番 | CSD13201W10 |
|---|---|
| メーカー | Texas Instruments |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | NexFET™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 430 個 |
| 在庫目安 | 4,300 個 |
| 納期目安 | 6 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
| 詳細説明 | N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| メーカー型番 | CSD13201W10 |
| 基本製品番号 | CSD13201 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 462 pF @ 6 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA, DSBGA |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | 296-41412-1', '296-41412-2', '296-41412-6', 'CSD13201W10-ND |
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