メーカー:Infineon Technologies | 型番:BSZ15DC02KDHXTMA1 | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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BSZ15DC02KDHXTMA1
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Infineon Technologies


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製品情報

MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON

基本仕様

メーカー型番BSZ15DC02KDHXTMA1
メーカーInfineon Technologies
カテゴリディスクリート半導体製品
シリーズHEXFET®
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)360 個
在庫目安17,460 個
納期目安35 weeks
ライフサイクルアクティブ
ExportControlClassNumberEAR99
FET機能ロジックレベルゲート、2.5V駆動
HtsusCode8541.29.0055
Id、Vgs印加時のRds On(最大)55ミリオーム @ 5.1A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大)1.4V @ 110µA
MoistureSensitivityLevel1(無制限)
ReachStatusREACHの影響なし
RohsStatusROHS3対応
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)419pF @ 10V
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)2.8nC @ 4.5V
グレード自動車
サプライヤデバイスパッケージPG-TSDSON-8-FL
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)20V
パッケージ/ケース8-PowerTDFN
別名SP000961028, 2156-BSZ15DC02KDHXTMA1, BSZ15DC02KDHXTMA1-ND, INFINFBSZ15DC02KDHXTMA1, BSZ15DC02KDHXTMA1CT, BSZ15DC02KDHXTMA1DKR, BSZ15DC02KDHXTMA1TR
動作温度-55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ面実装
基本製品番号BSZ15DC02
技術MOSFET(金属酸化物)
構成NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定AEC-Q101
電力 - 最大2.5W
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)5.1A、3.2A

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