MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
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Infineon Technologies 製 BSR802NL6327HTSA1 の主要スペックです。
| メーカー型番 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 340 個 |
| 在庫目安 | 3,400 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 |
| 詳細説明 | N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3 |
| メーカー型番 | BSR802NL6327HTSA1 |
| 基本製品番号 | BSR802 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1447 pF @ 10 V |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.7A, 2.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SC59-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 30µA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACHステータス | REACH Unaffected |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | BSR802NL6327HTSA1CT', 'BSR802NL6327HTSA1DKR', 'BSR802N L6327-ND', 'BSR802N L6327', 'BSR802N L6327INTR', 'SP000442484', 'BSR802NL6327HTSA1TR', 'BSR802N L6327INCT', 'BSR802N L6327INDKR-ND', 'BSR802NL6327', 'BSR802N L6327INDKR', 'BSR802N L6327INTR-ND', 'BSR802N L6327INCT-ND |
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