MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
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Infineon Technologies 製 BSP149H6327XTSA1 の主要スペックです。
| メーカー型番 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| シリーズ | SIPMOS® |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 290 個 |
| 在庫目安 | 3,050 個 |
| 納期目安 | 27 weeks |
| ライフサイクル | アクティブ |
| 基本製品番号 | BSP149 |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| FETタイプ | Nチャンネル、デプレッションモード |
| Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.8オーム @ 660mA、10V |
| Id印加時のVgs(th)(最大) | 1V @ 400µA |
| Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 430 pF @ 25 V |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 14 nC @ 5 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| グレード | 自動車 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 200 V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4、TO-261AA |
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| 技術 | MOSFET(金属酸化物) |
| 認定 | AEC-Q101 |
| 電力散逸(最大) | 1.8W(Ta) |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 660mA(Ta) |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 0V、10V |
| ExportControlClassNumber | EAR99 |
| HtsusCode | 8541.29.0055 |
| MoistureSensitivityLevel | 1(無制限) |
| ReachStatus | REACHの影響なし |
| RohsStatus | ROHS3対応 |
| 別名 | SP001058818, BSP149H6327XTSA1CT, BSP149H6327XTSA1DKR, BSP149H6327XTSA1TR |
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