MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
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Infineon Technologies 製 BSC117N08NS5ATMA1 の主要スペックです。
| メーカー型番 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 340 個 |
| 在庫目安 | 289,960 個 |
| 納期目安 | 61 weeks |
| ライフサイクル | アクティブ |
| 基本製品番号 | BSC117 |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 11.7リオーム @ 25A、10V |
| Id印加時のVgs(th)(最大) | 3.8V @ 22µA |
| Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1300 pF @ 40 V |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 18 nC @ 10 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-7 |
| ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 80 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| 技術 | MOSFET(金属酸化物) |
| 電力散逸(最大) | 2.5W(Ta)、50W(Tc) |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 49A(Tc) |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V、10V |
| ExportControlClassNumber | EAR99 |
| HtsusCode | 8541.29.0055 |
| MoistureSensitivityLevel | 1(無制限) |
| ReachStatus | REACHの影響なし |
| RohsStatus | ROHS3対応 |
| 別名 | BSC117N08NS5ATMA1-ND, BSC117N08NS5ATMA1TR, BSC117N08NS5ATMA1CT, SP001295028, BSC117N08NS5ATMA1DKR |
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