MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
※ 表示価格は変動する場合がございます。為替・市場状況により変動するため、確定価格は見積依頼にてご確認ください。
✓ 24時間以内に回答 | ✓ 1個から発注可能 | ✓ 正規品100%保証
Infineon Technologies 製 BSC093N04LSGATMA1 の主要スペックです。
| メーカー型番 | BSC093N04LSGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 260 個 |
| 在庫目安 | 172,490 個 |
| 納期目安 | 61 weeks |
| ライフサイクル | アクティブ |
| 基本製品番号 | BSC093 |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 9.3ミリオーム @ 40A、10V |
| Id印加時のVgs(th)(最大) | 2V @ 14µA |
| Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1900 pF @ 20 V |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 24 nC @ 10 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 |
| ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 40 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| 技術 | MOSFET(金属酸化物) |
| 電力散逸(最大) | 2.5W(Ta)、35W(Tc) |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 13A(Ta)、49A(Tc) |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V |
| ExportControlClassNumber | EAR99 |
| HtsusCode | 8541.29.0055 |
| MoistureSensitivityLevel | 1(無制限) |
| ReachStatus | REACHの影響なし |
| RohsStatus | ROHS3対応 |
| 別名 | BSC093N04LS G, SP000387929, BSC093N04LSGATMA1DKR, BSC093N04LS GDKR, BSC093N04LS GCT-ND, BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND, BSC093N04LS GTR-ND, BSC093N04LSGATMA1CT, BSC093N04LS GTR, BSC093N04LS GDKR-ND, BSC093N04LS G-ND, BSC093N04LS GCT, BSC093N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND, BSC093N04LSGATMA1TR, BSC093N04LSG |
お客様のニーズに合わせた4つの調達ソリューションをご用意しております。
廃版品・希少品・割当制限品をピンポイントで調達。生産停止リスクの回避に。
在庫品の最短納期手配。15時までのご注文で当日出荷が可能です。
VMI/フォーキャスト方式に対応。BOM全点の安定供給で生産計画を支援。
生産終了品・長期滞留在庫を適正価格で買取。在庫資産の有効活用に。
BSC093N04LSGATMA1 のご購入に関する、お客様からのよくあるご質問にお答えします。
フォームよりお問い合わせください。24時間以内(営業時間内は即時)に専任担当者よりご連絡いたします。