MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
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Infineon Technologies 製 BSC016N06NSATMA1 の主要スペックです。
| メーカー型番 | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数(SPQ) | 20 個 |
| 在庫目安 | 221,530 個 |
| 納期目安 | 61 weeks |
| ライフサイクル | アクティブ |
| 基本製品番号 | BSC016 |
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.6ミリオーム @ 50A、10V |
| Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.8V @ 95µA |
| Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 5200 pF @ 30 V |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 71 nC @ 10 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 FL |
| ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 60 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 動作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| 技術 | MOSFET(金属酸化物) |
| 電力散逸(最大) | 2.5W(Ta)、139W(Tc) |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 30A(Ta)、100A(Tc) |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V、10V |
| ExportControlClassNumber | EAR99 |
| HtsusCode | 8541.29.0055 |
| MoistureSensitivityLevel | 1(無制限) |
| ReachStatus | REACHの影響なし |
| RohsStatus | ROHS3対応 |
| 別名 | BSC016N06NSDKR, BSC016N06NSTR, BSC016N06NSCT-ND, BSC016N06NSTR-ND, SP000924882, BSC016N06NSDKR-ND, BSC016N06NS, BSC016N06NSATMA1DKR, BSC016N06NS-ND, BSC016N06NSATMA1TR, BSC016N06NSATMA1CT |
数量に応じてお値引きいたします。確定単価はお見積りにてご回答いたします。
| ご注文数量 | 参考単価(USD) | 納期目安 | お見積り |
|---|---|---|---|
| 5,000 個以上 | $178.8682 | 61 weeks | 見積依頼 |
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