メーカー:Infineon Technologies | 型番:AUIRF7341QTR | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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AUIRF7341QTR
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Infineon Technologies


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製品情報

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

基本仕様

メーカー型番AUIRF7341QTR
メーカーInfineon Technologies
カテゴリディスクリート半導体製品
シリーズHEXFET®
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)220 個
在庫目安2,200 個
納期目安52 weeks
ライフサイクル生産中止品
ExportControlClassNumberEAR99
FET機能論理レベルゲート
HtsusCode8541.29.0055
Id、Vgs印加時のRds On(最大)50ミリオーム @ 5.1A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)3V @ 250µA
MoistureSensitivityLevel1(無制限)
ReachStatusREACHの影響なし
RohsStatusROHS3対応
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)780pF @ 25V
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)44nC @ 10V
グレード自動車
サプライヤデバイスパッケージ8-SOIC
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)55V
パッケージ/ケース8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
別名SP001515768, 2156-AUIRF7341QTR-448, AUIRF7341QDKR, AUIRF7341QCT
動作温度-55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ面実装
基本製品番号AUIRF7341
技術MOSFET(金属酸化物)
構成2 Nチャンネル(デュアル)
認定AEC-Q101
電力 - 最大2.4W
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)5.1A

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