MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
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Advanced Linear Devices Inc. 製 ALD1105PBL の主要スペックです。
| メーカー型番 | ALD1105PBL |
|---|---|
| メーカー | Advanced Linear Devices Inc. |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 50 個 |
| 在庫目安 | 500 個 |
| 納期目安 | 8 Weeks |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP |
| 詳細説明 | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V - 500mW Through Hole 14-PDIP |
| メーカー型番 | ALD1105PBL |
| 基本製品番号 | ALD1105 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 5V |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| パッケージ | Tube |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
| カリフォルニア州法プロポジション65 | Warning Information |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| 水分感度レベル (MSL) | 1 (Unlimited) |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | 1014-1010 |
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