メーカー:NTE Electronics, Inc | 型番:2N6667 | 在庫・納期のお問い合わせ このページを印刷
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2N6667
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NTE Electronics, Inc


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製品情報

T-PNP SI-GEN PUR AMP

基本仕様

メーカー型番2N6667
メーカーNTE Electronics, Inc
カテゴリディスクリート半導体 > トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
最小発注数量1 個
標準梱包数(SPQ)1 個
在庫目安10 個
納期目安お問合せ
ライフサイクル生産継続中
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Power - Max2 W
RoHSステータスRoHS non-compliant
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 100mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
サプライヤデバイスパッケージTO-220
パッケージBag
パッケージ/ケースTO-220-3
別名2368-2N6667
動作温度-65°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプThrough Hole

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