T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
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NTE Electronics, Inc 製 2N3906 の主要スペックです。
| メーカー型番 | 2N3906 |
|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 最小発注数量 | 1 個 |
| 標準梱包数（SPQ） | 1 個 |
| 在庫目安 | 10 個 |
| 納期目安 | お問合せ |
| ライフサイクル | 生産継続中 |
| 説明 | T-PNP SI-GEN PUR AMP SW |
| 詳細説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92 |
| メーカー型番 | 2N3906 |
| カテゴリ | Discrete Semiconductor ProductsTransistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| パッケージ | Bag |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Power - Max | 625 mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| RoHSステータス | ROHS3 Compliant |
| 別名 | 2368-2N3906 |
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